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资料编号:1063287
 
资料名称:SPD08N05L
 
文件大小: 147266K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
1 16/oct/1997
初步的 数据
SPD08N05L
SPU08N05L
SIPMOS
®
电源 晶体管
• n 频道
• 增强 模式
• avalanche-评估
• d
v
/d
t
评估
• 175°c 运行 温度
类型
V
DS
I
D
R
ds(在
)
包装 订货 代号
SPD08N05L 55 v 8.4 一个 0.18
p-to252 q67000-. . . . - . .
SPU08N05L 55 v 8.4 一个 0.18
p-to251 q67000-. . . . - . .
最大 比率
参数
标识 单位
持续的 流 电流
T
C
= 25 °c
T
C
= 100 °c
I
D
5.9
8.4
一个
搏动 流 电流
T
C
= 25 °c
I
Dpuls
34
avalanche 活力, 单独的 脉冲波
I
D
= 8.4 一个,
V
DD
= 25 v,
R
GS
= 25
L
= 992 µh,
T
j
= 25 °c
E
35
mJ
avalanche 电流,限制 用
T
jmax
I
AR
8.4 一个
avalanche 活力,periodic 限制 用
T
jmax
E
AR
2.4 mJ
反转 二极管 d
v
/d
t
I
S
= 8.4 一个,
V
DS
= 40 v, d
i
F
/d
t
= 200 一个/µs
T
jmax
= 175 °c
d
v
/d
t
6
kv/µs
门 源 电压
V
GS
±
14
V
电源 消耗
T
C
= 25 °c
P
tot
24
W
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