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tle 4206
半导体 组 7 1998-02-01
输出 out1-2
饱和 电压
源 (upper )
I
输出
= – 0.2 一个
V
SAT U
– 0.85 1.15 V
T
j
= 25
°
C
源 (upper )
I
输出
= – 0.4 一个
V
SAT U
– 0.90 1.20 V
T
j
= 25
°
C
下沉 (upper)
I
输出
= – 0.8 一个
V
SAT U
– 1.10 1.50 V
T
j
= 25
°
C
下沉 (更小的)
I
输出
= 0.2 一个
V
SAT L
– 0.15 0.23 V
T
j
= 25
°
C
下沉 (更小的)
I
输出
= 0.4 一个
V
SAT L
– 0.25 0.40 V
T
j
= 25
°
C
下沉 (更小的)
I
输出
= 0.8 一个
V
SAT L
– 0.45 0.75 V
T
j
= 25
°
C
总的 漏出
I
输出
= 0.2 一个
V
SAT
–1.01.4v
V
SAT
=
V
sat u
+
V
sat l
总的 漏出
I
输出
= 0.4 一个
V
SAT
–1.21.7v
V
SAT
=
V
sat u
+
V
sat l
总的 漏出
I
输出
= 0.8 一个
V
SAT
–1.62.5v
V
SAT
=
V
sat u
+
V
sat l
clamp 二极管
向前 电压; upper
V
FU
–11.5v
I
F
= 0.4 一个
upper 泄漏 电流
I
LKU
––5mA
I
F
= 0.4 一个
向前 电压; 更小的
V
FL
–0.91.4v
I
F
= 0.4 一个
电的 特性
(内容’d)
8 v <
V
S
< 18 v;
I
out1-2
= 0 一个; – 40
°
c <
T
j
< 150
°
C
(除非 否则 指定)
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值

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tle 4206 半导体组 7 1998-02-01 输出 out1-2 饱和电压源 (upper ) I 输出 = – 0.2 一个 V SAT U – 0.85 1.15 V T j = 25 ° C 源 (upper ) I 输出 = – 0.4 一个 V SAT U – 0.90 1.20 V T j = 25 ° C 下沉 (upper) I 输出 = – 0.8 一个 V SAT U – 1.10 1.50 V T j = 25 ° C 下沉 (更小的) I 输出 = 0.2 一个 V SAT L – 0.15 0.23 V T j = 25 ° C 下沉 (更小的) I 输出 = 0.4 一个 V SAT L – 0.25 0.40 V T j = 25 ° C 下沉 (更小的) I 输出 = 0.8 一个 V SAT L – 0.45 0.75 V T j = 25 ° C 总的漏出 I 输出 = 0.2 一个 V SAT –1.01.4v V SAT = V sat u + V sat l 总的漏出 I 输出 = 0.4 一个 V SAT –1.21.7v V SAT = V sat u + V sat l 总的漏出 I 输出 = 0.8 一个 V SAT –1.62.5v V SAT = V sat u + V sat l clamp 二极管向前电压; upper V FU –11.5v I F = 0.4 一个 upper 泄漏电流 I LKU ––5mA I F = 0.4 一个向前电压; 更小的 V FL –0.91.4v I F = 0.4 一个电的特性 (内容’d) 8 v < V S < 18 v; I out1-2 = 0 一个; – 40 ° c < T j < 150 ° C (除非否则指定) 参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值

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