TLE4728G_集成电路资料查询网

tle 4728 g
半导体 组 12 1998-02-01
安静的 电流
I
S
相比 供应 电压
V
S
;
bridges 不 chopping;
T
j
= 25
°
C
振荡器 频率
f
Osc
相比
接合面 温度
T
j
quiesc. 电流
I
S
相比 junct. 温度
T
j
;
bridges 不 chopping,
V
S
= 14 v
输出 电流
I
QX
相比 接合面
温度
T
j
IED01827
5
0
V
毫安
V
S
Ι
10 15
20
40
60
=
Ι
QX
0.70 一个
20
10
30
50
S
0.45 一个
0.07 一个
-50
15
0
20
V
C
OSC
S
15010050
C
T
j
Osc
kHz
f
25
30
IED01829
= 14 v
= 2.2 nf
IED01828
-50
0
C
毫安
T
S
Ι
0 50
20
40
60
=
Ι
QX
0.70 一个
150
10
30
50
j
0.50 一个
0.07 一个
500
-50
0
0
300
100
400
200
R
X
V
S
= 14 v
15010050
C
T
j
700
800
600
QX
Ι
毫安
x1 = h,   x0 = h
Ι
IED01830
Ι
x1 = h,   x0 = l
ΙΙ
= 1
Ω

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tle 4728 g 半导体组 12 1998-02-01 安静的电流 I S 相比供应电压 V S ; bridges 不 chopping; T j = 25 ° C 振荡器频率 f Osc 相比接合面温度 T j quiesc. 电流 I S 相比 junct. 温度 T j ; bridges 不 chopping, V S = 14 v 输出电流 I QX 相比接合面温度 T j IED01827 5 0 V 毫安 V S Ι 10 15 20 40 60 = Ι QX 0.70 一个 20 10 30 50 S 0.45 一个 0.07 一个 -50 15 0 20 V C OSC S 15010050 C T j Osc kHz f 25 30 IED01829 = 14 v = 2.2 nf IED01828 -50 0 C 毫安 T S Ι 0 50 20 40 60 = Ι QX 0.70 一个 150 10 30 50 j 0.50 一个 0.07 一个 500 -50 0 0 300 100 400 200 R X V S = 14 v 15010050 C T j 700 800 600 QX Ι 毫安 x1 = h, x0 = h Ι IED01830 Ι x1 = h, x0 = l ΙΙ = 1 Ω

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