TLE5206-2_集成电路资料查询网

tle 5206-2
半导体 组 12 1998-04-29
逻辑
控制 输入 在 1, 2
h-输入 电压 门槛
V
INH
2.8
––V–
l-输入 电压
V
INL
––1.2v–
hysteresis 的 输入 电压
V
INHY
0.4 0.8 1.2 V –
h-输入 电流
I
INH
–2 – 2
µ
一个
V
在
= 5 V
l-输入 电流
I
INL
–10 –4 0
µ
一个
V
在
= 0 V
错误 标记 输出 ef
低 输出 电压
V
EFL
–0.20.5v
I
EF
= 3 毫安
泄漏 电流
I
EFL
––10
µ
一个
V
EF
= 7 V
热的 关闭
热的 关闭 接合面
温度
T
jSD
150 175 200
°
C–
热的 转变-在 接合面
温度
T
jSO
120 – 170
°
C–
温度 hysteresis
∆
T
–30–K–
电的 特性
(内容’d)
6 v <
V
S
< 18 v; in1 = in2 = 高
I
out1, 2
= 0 一个 (非 加载); – 40
°
c <
T
j
< 150
°
c; 除非 否则 指定
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值

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tle 5206-2 半导体组 12 1998-04-29 逻辑控制输入在 1, 2 h-输入电压门槛 V INH 2.8 ––V– l-输入电压 V INL ––1.2v– hysteresis 的输入电压 V INHY 0.4 0.8 1.2 V – h-输入电流 I INH –2 – 2 µ 一个 V 在 = 5 V l-输入电流 I INL –10 –4 0 µ 一个 V 在 = 0 V 错误标记输出 ef 低输出电压 V EFL –0.20.5v I EF = 3 毫安泄漏电流 I EFL ––10 µ 一个 V EF = 7 V 热的关闭热的关闭接合面温度 T jSD 150 175 200 ° C– 热的转变-在接合面温度 T jSO 120 – 170 ° C– 温度 hysteresis ∆ T –30–K– 电的特性 (内容’d) 6 v < V S < 18 v; in1 = in2 = 高 I out1, 2 = 0 一个 (非加载); – 40 ° c < T j < 150 ° c; 除非否则指定参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值

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