初步的 数据 薄板 tle 6230 gp
半导体 组 页 07. april 98
4
最大 比率 为
T
j
= – 40°c 至 150°c
参数 标识 值 单位
供应 电压
V
S
-0.3 ... +7 V
持续的 流 源 电压 (out1...out8)
V
DS
40 V
输入 电压, 所有 输入 和 数据 线条
V
在
- 0.3 ... + 7 V
加载 丢弃 保护
V
加载 丢弃
=
U
P
+
U
S
;
U
P
=13.5 v
和 automotive 接转 加载
R
L
= 70
Ω
R
I
1
)
=2
Ω
;
t
d
=400ms; 在 = 低 或者 高
和
R
L
= 24
Ω
R
I
=2
Ω
;
t
d
=400ms; 在 = 高 或者 低
V
加载 丢弃
2
)
80
52
V
运行 温度 范围
存储 温度 范围
T
j
T
stg
- 40 ... + 150
- 55 ... + 150
°C
输出 电流 每 频道
I
d(lim)
自 限制 一个
输出 每 频道 @
T
一个
= 25°c
(所有 8 途径 在; 挂载 在 pcb )
3
)
I
D
500 毫安
输出 夹紧 活力
I
D
= 0.5 一个
E
作
50 mJ
电源 消耗 (挂载 在 pcb) @
T
一个
= 25°c
P
tot
3.3 W
E
lectro
s
tatic
D
ischarge
V
oltage (人 身体 模型)
符合 至 mil 标准 883d, 方法 3015.7 和 eos/静电释放
assn. 标准 s5.1 - 1993
V
静电释放
2000 V
din 湿度 类别, din 40 040 -- E --
iec climatic 类别, din iec 68-1 -- 40/150/56 --
热的 阻抗
接合面 - 情况
接合面 - 包围的 @ 最小值 footprint
接合面 - 包围的 @ 2.25 cm
2
冷却 范围 和 热温 pipes
R
thJC
R
thJA
5
50
38
k/w
最小 footprint
pcb 和 热温 pipes,
backside 2.25 cm
2
冷却 范围
1
)
R
I
=内部的 阻抗 的 这 加载 丢弃 测试 脉冲波 发生器 ld200
2
)
V
LoadDump
是 建制 没有 dut 连接 至 这 发生器 每 iso 7637-1 和 din 40 839.
3
)
输出 电流 比率 所以 长 作 最大 接合面 温度 是 不 超过. 在
T
一个
= 125 °c 这 输出 cur-
rent 有 至 是 计算 使用
R
thJA
符合 挂载 情况.
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