初步的 数据 薄板 tle 6230 gp
半导体 组 页 07. april 98
5
电的 特性
参数 和 情况 标识 值 单位
V
S
= 4.5 至 5.5 v ;
T
j
= - 40 °c 至 + 150 °c
(除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
1. 电源 供应
供应 电压
V
S
4.5 -- 5.5
V
供应 电流 (输出 在)
I
s(在)
-- 1 2 毫安
供应 电流 (输出 止)
I
s(止)
-- 1 2 毫安
2. 电源 输出
在 阻抗
V
S
= 5 v
;
I
D
= 500 毫安
T
J
= 25°c
T
J
= 150°c
R
ds(在)
--
--
--
--
1
1.8
Ω
输出 夹紧 电压 输出 止
V
ds(az)
40 -- 55 V
电流 限制
I
d(lim)
1 1.5 2 一个
输出 泄漏 电流
V
重置
= l
I
d(lkg)
-- -- 10 µA
转变-在 时间
I
D
= 0.5 一个, resistive 加载
t
在
-- 8 12 µs
转变-止 时间
I
D
= 0.5 一个, resistive 加载
t
止
-- 6 10 µs
3. 数字的 输入
输入 低 电压
V
INL
- 0.3 -- 1.0 V
输入 高 电压
V
INH
2.0 -- -- V
输入 电压 hysteresis
V
INHys
50 100 -- mV
输入 拉 向下/向上 电流 (in1 ... in4)
I
在(1..4)
20 50 100 µA
prg, 重置 拉 向上 电流
I
在(prg,res)
20 50 100 µA
输入 拉 向下 电流 (si, sclk)
I
在(si,sclk)
10 20 50 µA
输入 拉 向上 电流 (
CS
)
I
在(cs)
10 20 50 µA
4. 数字的 输出 (所以,
故障
)
所以 高 状态 输出 电压
I
SOH
= 1 毫安
V
SOH
V
S
-1v -- -- V
所以 低 状态 输出 电压
I
SOL
= 1.6 毫安
V
SOL
-- -- 0.4 V
输出 触发-状态 泄漏 电流
CS
= h, 0
≤
V
所以
≤
V
S
I
SOlkg
-10 0 10 µA
故障 输出 低 电压
I
故障
= 1.6 毫安
V
FAULTL
-- -- 0.4 V
5. diagnostic 功能
打开 加载 发现 电压
V
ds(ol)
-- 3 -- V
输出 拉 向下 电流
I
pd(ol)
50 90 150 µA
故障 延迟 时间
t
d(故障)
50 100 200 µs
短的 至 地面 发现 电压
V
ds(shg)
-- 2 -- V
短的 至 地面 发现 电流
I
SHG
-50 -100 -150 µA
电流 限制; 超载 门槛 电流
I
d(lim) 1...8
1 1.5 2 一个
overtemperature 关闭 门槛
Hysteresis
T
th(sd)
T
hys
170
--
--
10
200
--
°C
K
: 点此下载
