初步的 数据 薄板 tle 6230 gp
半导体 组 页 07. april 98
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电的 特性 内容.
参数 和 情况 标识 值 单位
V
S
= 4.5 至 5.5 v ;
T
j
= - 40 °c 至 + 150 °c
(除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
6. spi-定时
串行 时钟 频率
f
SCK
直流 -- 5 MHz
串行 时钟 时期 (1/fclk)
t
p(sck)
200 -- -- ns
串行 时钟 高 时间
t
SCKH
50 -- -- ns
串行 时钟 低 时间
t
SCKL
50 -- -- ns
使能 含铅的 时间 (下落 边缘 的
CS
至 rising 边缘 的
CLK
)
t
含铅的
250 -- -- ns
使能 lag 时间 (下落 边缘 的 clk 至 rising 边缘 的
CS
)
t
lag
250 --- -- ns
数据 建制 时间 (必需的 时间 si 至 下落 的 clk)
t
SU
-- 25 -- ns
数据 支撑 时间 (下落 边缘 的 clk 至 si)
t
H
-- 25 -- ns
所以 上升 时间 (c
L
=200 pf)
t
rso
-- -- 50 ns
所以 下降 时间 (c
L
=200 pf)
t
fso
-- -- 50 ns
si,
CS
, sclk 上升 时间 (spi 输入)
t
rSI
-- -- 50 ns
si,
CS
, sclk 下降 时间 (spi 输入)
t
fSI
-- -- 50 ns
使能 时间
t
EN
250 -- -- ns
使不能运转 时间
t
DIS
250 -- -- ns
数据 有效的 时间
t
有效的
-- 50 -- ns
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