1N5400G–1N5408G
vishay lite–on 电源 半导体
rev. a2,24-六月-982 (4)
特性
(t
j
= 25
_
c 除非 否则 指定)
0
1
2
3
4
0 25 50 75 100 125 150 175
15566
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
i – 平均 向前 电流 ( 一个 )
FAV
单独的 阶段 half–wave
60 hz resistive 或者 inductive 加载
图示 1. 最大值 平均 向前 电流 vs.
包围的 温度
0.01
0.1
1.0
10
100
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
15567
i – 向前 电流 ( 一个 )
F
V
F
– 向前 电压 ( v )
图示 2. 典型值 向前 电流 vs. 向前 电压
10
100
200
1 10 100
i – 顶峰 向前 surge 电流 ( 一个 )
FSM
号码 的 循环 在 60 hz
15568
8.3 ms 单独的 half–sine–wave
电子元件工业联合会 方法
图示 3. 最大值 顶峰 向前 surge 电流 vs.
号码 的 循环
10
100
200
1 10 100
T
j
= 25
°
C
f = 1 mhz
c – 二极管 电容 ( pf )
D
V
R
– 反转 电压 ( v )
15569
图示 4. 典型值 二极管 电容 vs. 反转 电压
0.1
1.0
10
100
0 20 40 60 80 100 120 140
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
15570
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
i – 反转 电流 ( 一个 )
R
m
图示 5. 典型值 反转 电流 vs. 百分比 的
评估 顶峰 反转 电压
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