j/sst/u308 序列
4 Siliconix
s-52424—rev. f, 14-apr-97
典型 特性
100
0–5–4–3–1
80
20
0
50
40
10
0
流 电流 和 跨导
vs. 门-源 截止 电压
门 泄漏 电流
输出 特性
在-阻抗 和 输出 conductance
vs. 门-源 截止 电压
一般-源 向前 跨导
vs. 流 电流
V
gs(止)
– 门-源 截止 电压 (v) V
DG
– 流-门 电压 (v)
I
D
– 流 电流 (毫安)V
gs(止)
– 门-源 截止 电压 (v)
V
DS
– 流-源 电压 (v)
– 饱和 流 电流 (毫安)
I
DSS
g
fs
– 向前 跨导 (ms)
– 门 泄漏
I
G
g
fs
– 向前 跨导 (ms)
– 流 电流 (毫安)
I
D
I
DSS
@ v
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
g
fs
@ v
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v
f = 1 khz
g
fs
I
DSS
T
一个
= –55
C
25
C
125
C
V
GS
= 0 v
–0.2 v
–0.4 v
–0.6 v
–0.8 v
V
gs(止)
= –3 v
60
40
–2
30
20
100
–3 –5–4–1
80
0
300
240
120
60
0
60
40
20
–20
180
r
DS
@ i
D
= 1 毫安, v
GS
= 0 v
g
os
@ v
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v, f = 1 khz
r
DS
06312159
I
GSS
@ 125
C
T
一个
= 125
C
T
一个
= 25
C
200
一个
0.1 1 10
20
16
8
4
0
12
15
0 0.40.2 0.8 1
12
6
3
0
9
0.6
–1.0 v
g
os
I
GSS
@ 25
C
0.1 pa
1 pa
10 pa
100 pa
1 na
10 na
V
DS
= 10 v
f = 1 khz
V
gs(止)
= –1.5 v
10 毫安
输出 特性
V
DS
– 流-源 电压 (v)
– 流 电流 (毫安)
I
D
V
GS
= 0 v
–1.2 v
–0.4 v
–1.6 v
–0.8 v
30
0 0.40.2 0.8 1
24
12
6
0
18
0.6
–2.0 v
–2.4 v
V
gs(止)
= –3 v
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 (k )
s)g
– 输出 conductance (
I
G
@
I
D
= 10 毫安
200
一个