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资料编号:1063874
资料名称:
2N5461
文件大小: 61625K
说明
:
介绍
:
P-Channel JFETs
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2n/sst5460 序列
4
Siliconix
s-52431—rev. c, 05-将-97
典型 特性 (内容’d)
–5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
–4
–3
–2
–1
0
转移 特性
T
一个
= –55
C
125
C
– 流 电流 (毫安)
I
D
V
GS
– 门-源 电压 (v)
25
C
–10
0123
45
–8
–6
–4
–2
0
转移 特性
V
GS
– 门-源 电压 (v)
T
一个
= –55
C
125
C
– 流 电流 (毫安)
I
D
25
C
–0.1
–1
–10
1000
800
0
600
400
200
在-阻抗 vs. 流 电流
I
D
– 流 电流 (毫安)
r
ds(在)
– 流-源 在-阻抗 (
)
T
一个
= 25
C
V
gs(止)
= 1.5 v
3 v
4 v
10 na
1 na
0.1 pa
0
–30
–40–20–10
–50
100 pa
10 p 一个
1 pa
门 泄漏 电流
V
DG
– 流-门 电压 (v)
– 门 泄漏
I
G
I
GSS
@ 125
C
I
GSS
@ 25
C
T
一个
= 125
C
T
一个
= 25
C
–5 毫安
–5 毫安
5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
4
3
2
1
0
跨导 vs. 门-源 电压
T
一个
= –55
C
25
C
125
C
g
fs
– 向前 跨导 (ms)
V
GS
– 门-源 电压 (v)
5
0123
45
4
3
2
1
0
跨导 vs. 门-源 电压
T
一个
= –55
C
25
C
125
C
V
GS
– 门-源 电压 (v)
g
fs
– 向前 跨导 (ms)
V
gs(止)
= 1.5 v
V
DS
= –15 v
V
gs(止)
= 3 vv
DS
= –15 v
V
gs(止)
= 1.5 v
V
DS
= –15 v
f = 1 khz
V
gs(止)
= 3 vv
DS
= –15 v
f = 1 khz
–1 毫安
–0.1 毫安
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