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资料编号:1067435
 
资料名称:CY7C1334
 
文件大小: 188466K
   
说明
 
介绍:
64Kx32 Pipelined SRAM with NoBL Architecture
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY7C1334
7
电的 特性
在 这 运行 范围
参数 描述 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
DD
电源 供应 电压 3.135 3.465 V
V
DDQ
i/o 供应 电压 3.135 3.465 V
V
OH
输出 高 电压 V
DD
= 最小值., i
OH
=
−4
.0 毫安
[12]
2.4 V
V
OL
输出 低 电压 V
DD
= 最小值., i
OL
= 8.0 毫安
[12]
0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
DD
+
0.3v
V
V
IL
输入 低 电压
[10]
0.3
0.8 V
I
X
输入 加载 电流
V
I
V
DDQ
5
5
µ
一个
输入 电流 的 模式
30
30
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏
电流
V
I
V
ddq,
输出 无能
5
5
µ
一个
I
CC
V
DD
运行 供应 V
DD
= 最大值., i
输出
= 0 毫安,
f = f
最大值
= 1/t
CYC
7.5-ns 循环, 133 mhz 400 毫安
10-ns 循环, 100 mhz 360 毫安
12.5-ns 循环, 80 mhz 310 毫安
20.0-ns 循环, 50 mhz 260 毫安
I
SB1
自动 ce
电源-向下
电流-ttl 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
V
IH
或者 v
V
IL
f = f
最大值
= 1/t
CYC
7.5-ns 循环, 133 mhz 60 毫安
10-ns 循环, 100 mhz 50 毫安
12.5-ns 循环, 80 mhz 40 毫安
20.0-ns 循环, 50 mhz 35 毫安
I
SB2
自动 ce
电源-向下
电流-cmos 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected,
V
0.3v 或者 v
> v
DDQ
0.3v,
f = 0
所有 速 grades 5.0 毫安
I
SB3
自动 ce
电源-向下
电流-cmos 输入
最大值 v
DD
, 设备 deselected, 或者
V
0.3v 或者 v
> v
DDQ
0.3v
f = f
最大值
= 1/t
CYC
7.5-ns 循环, 133 mhz 50 毫安
10-ns 循环, 100 mhz 40 毫安
12.5-ns 循环, 80 mhz 30 毫安
20-ns 循环, 50 mhz 25 毫安
电容
[13]
参数 描述 测试 情况 最大值 单位
C
输入 电容 T
一个
= 25
°
c,f= 1MHz,
V
DD
= 3.3v. v
DDQ
= 3.3v
4 pF
C
CLK
时钟 输入 电容 4 pF
C
i/o
输入/输出 电容 4 pF
交流 测试 负载 和 波形
注释:
12. 这 加载 使用 为 v
OH
和 v
OL
测试 是 显示 在 图示 (b) 的 这 一个/c 测试 情况.
13. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
14. 一个/c 测试 情况 假设 信号 转变 时间 的 2 ns 或者 较少, 定时 涉及 水平 的 1.5v, 输入 脉冲波 水平 的 0至 3.0v, 和 输出 加载 显示 在 (一个)
的 交流 测试 负载.
3.0v
输出
R=317
R=351
5pF
包含
jig 和
SCOPE
(一个) (b)
所有 输入 脉冲
1334-2
输出
R
L
=50
Z
0
=50
V
L
= 1.5v
3.3v
[14]
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