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资料编号:1067748
 
资料名称:RF1S540SM
 
文件大小: 77178K
   
说明
 
介绍:
28A, 100V, 0.077 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
 
 


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图示 10. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
图示 11. 电容 vs 流 至 源 电压
图示 12. 跨导 vs 流 电流 图示 13. 源 至 流 二极管 电压
图示 14. 门 至 源 电压 vs 门 承担
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
1.25
1.05
0.95
0.85
0.75
-60 -40 -20 0 20 40 60
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
100 120 140 160 180
1.15
80
I
D
= 250
µ
一个
3000
600
0
1 10 100
c, 电容 (pf)
1800
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
2400
1200
C
ISS
C
OSS
C
RSS
C
ISS
= c
GS
+ c
GD
C
RSS
= c
GD
C
OSS
C
DS
+ c
GD
V
GS
= 0v, f = 1mhz
25
o
C
I
D
, 流 电流 (一个)
g
fs
,
跨导 (s)
0
010203040
4
8
12
16
20
50
175
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DS
50V
0
1.2 1.8 2.4 3.00.6
1
10
100
I
SD
, 源 至 流 电流 (一个)
V
SD
, 源 至 流 电压 (v)
1000
25
o
C
175
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
Q
g
, 门 承担 (nc)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
0
012243648
4
8
12
16
20
60
I
D
= 28a
V
DS
= 50v
V
DS
= 80v
V
DS
= 20v
irf540, rf1s540sm
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