MC3423
5
motorola 相似物 ic 设备 数据
电源
供应
#1
R1
电源
供应
#2
+
–
+
–
10k
Q1
1.0k
5
7
1
7
6
1
图示 7. 电路 配置 为
activating 一个 mc3423 从 另一
便条 那 两个都 供应 有 它们的 负的 输出 leads
系 一起 (i.e., 两个都 是 积极的 供应). 如果 它们的
积极的 leads 是 一般 (二 负的 供应) 这
发射级 的 q1 将 是 moved 至 这 积极的 含铅的 的 供应
1 和 r1 将 因此 有 至 是 resized 至 deliver 这
适合的 驱动 至 q1.
crowbar scr 仔细考虑
referring 至 图示 11, 它 能 是 seen 那 这 crowbar
scr, 当 使活动, 是 主题 至 一个 大 电流 surge 从
这 输出 电容, c
输出
. 这个 电容 组成 的
这 电源 供应 输出 caps, 这 加载’s 解耦 caps,
和 在 这 情况 的 图示 11a, 这 供应’s 输入 过滤 caps.
这个 surge 电流 是 illustrated 在 图示 12, 和 能 导致
scr 失败 或者 降级 用 任何 一个 的 三 mechanisms:
di/dt, 绝对 顶峰 surge, 或者 i
2
t. 这 interrelationship 的
这些 失败 方法 和 这 breadth 的 这 产品
制造 规格 的 这 scr 用 这 半导体
生产者 difficult 和 expensive. 因此, 这 设计者
必须 empirically 决定 这 scr 和 电路 elements
这个 结果 在 可依靠的 和 有效的 ovp 运作.
不管怎样, 一个 understanding 的 这 factors 这个 影响 这
scr’s di/dt 和 surge 能力 使简化 这个 task.
di/dt
作 这 门 区域 的 这 scr 是 驱动 在, 它的 范围 的
传导 takes 一个 finite 数量 的 时间 至 grow, 开始 作 一个
非常 小 区域 和 gradually spreading. 自从 这 anode
电流 flows 通过 这个 turned–on 门 区域, 非常 高
电流 densities 能 出现 在 这 门 区域 如果 高 anode
电流 呈现 quickly (di/dt). 这个 能 结果 在 立即的
destruction 的 这 scr 或者 gradual 降级 的 它的 向前
blocking 电压 能力 – 取决于 在 这 severity 的
这 occasion.
V
T
, trip 电压 (v)
0 5.0 10 15 20 25 30
最小值
30
20
10
0
r1, 阻抗 (k )
Ω
典型值
r2 = 2.7 k
最大值
图示 8. r1 相比 trip 电压
V
CC
, 供应 电压 (v)
35
30
25
20
15
10
0 10 203040 50 607080
rg, 门 电流 限制的 电阻 (
Ω
)
R
g(最小值)
= 0
如果 v
CC
< 11 v
图示 9. 最小 r
G
相比 供应 电压
t
d
, 延迟 时间 (ms)
c, 电容 ( f)
µ
123571
1
5
2
10.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
0.001 0.01 0.1 1.0 10
图示 10. 电容 相比
最小 超（电）压 持续时间
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