MGSF1N02LT1
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motorola small–signal 晶体管, fets 和 二极管 设备 数据
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms
)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
0 0.2 0.4 0.6 0.8
0.04
0.1
0.12
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 5. on–resistance 变化 和 温度
0.6
1
0.001
0.1
1
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. 门 承担
V
SD
, 二极管 向前 电压 (伏特)
图示 7. 身体 二极管 向前 电压
I
D
, 二极管 电流 (放大器)
25
°
C
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 2 一个
– 55 –5 45 95 145
T
J
= 150
°
C
0.08
0.7
0.8
0.9
0 0.2 0.4 0.6
0.06
0.01
–55
°
C
25
°
C
0.8
图示 8. 电容
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms
)
0 0.4 0.8 1.2 1.6
0.04
0.1
0.12
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
= 10 v
0.08
0.06
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
0
10
6
2
0
Q
T
, 总的 门 承担 (pc)
8
4
1000 6000
V
DS
= 16 v
T
J
= 25
°
C
2000
I
D
= 2.0 一个
3000
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
01520510
C
iss
C
oss
C
rss
1000
100
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
T
J
= 25
°
C
10
0.1 0.3 0.5
0.7
150
°
C
–55
°
C
0.14
0.09
0.11
0.07
0.05
0.13
0.2 0.6 1 1.4
1.1
1.5
1.2
1.3
1.4
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 1 一个
50004000
1
0.9 1
0.18
0.2
0.16
0.14
1.8 2
25
°
C
150
°
C
–55
°
C
1.6
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