tms416400, tms416400p, tms417400, tms417400p
tms426400, tms426400p, tms427400, tms427400p
4194304-文字 用 4-位 高-速 drams
smks881b – 将 1995 – 修订 8月 1995
9
邮递 办公室 盒 1443
•
houston, 德州 77251–1443
电的 特性 在 推荐 范围 的 供应 电压 和 运行 自由-空气
温度 (除非 否则 指出) (持续)
TMS417400/P
参数
测试 情况
†
’417400- 60
’417400P- 60
’417400- 70
’417400P- 70
’417400- 80
’417400P- 80
单位
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
V
OH
高-水平的 输出
电压
I
OH
= – 5 毫安 2.4 2.4 2.4 V
V
OL
低-水平的 输出
电压
I
OL
= 4.2 毫安 0.4 0.4 0.4 V
I
I
输入 电流
(泄漏)
V
CC
= 5.5 v, V
I
= 0 v 至 6.5 v,
所有 其他 = 0 v 至 v
CC
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
O
输出 电流
(泄漏)
V
CC
= 5.5 v, V
O
= 0 v 至 v
CC
,
CAS
高
±
10
±
10
±
10
µ
一个
I
CC1
‡§
读- 或者
写-循环 电流
V
CC
= 5.5 v, 最小 循环 110 100 90 毫安
I 备用物品 电流
V
IH
= 2.4 v ( ttl),
之后 1 记忆 循环,
RAS
和 cas高
2 2 2 毫安
I
CC2
Standby 电流
V
IH
= v
CC
– 0.2 v (cmos),
之后 1 记忆 循环
’417400 1 1 1 毫安
之后 1记忆 循环,
RAS
和 cas高
’417400P 500 500 500
µ
一个
I
CC3
‡§
平均 refresh
电流 (ras
-仅有的
refresh 或者 cbr)
V
CC
= 5.5 v, 最小 循环,
RAS
cycling, CAS高 (ras 仅有的),
RAS
低 之后 cas低 (cbr)
110 100 90 毫安
I
CC4
‡¶
平均 页
电流
V
CC
= 5.5 v, t
PC
= 最小值,
RAS
低, CAScycling
70 60 50 毫安
I
CC6
#
自-refresh 电流
CAS< 0.2 v, ras < 0.2 v,
量过的 之后 t
RASS
最小值
500 500 500
µ
一个
I
CC10
#
电池 后面的-向上
运行 电流
(相等的 refresh
时间 是 128 ms);
cbr 仅有的
t
RC
= 62.5
µ
s, t
RAS
≤
1
µ
s,
V
CC
– 0.2 v
≤
V
IH
≤
6.5 v,
0 v
≤
V
IL
≤
0.2 v, W
和 oe= v
IH
,
地址 和 数据 稳固的
500 500 500
µ
一个
†
为 情况 显示 作 最小值 / 最大值, 使用 这 适合的 值 指定 在 这 定时 (所需的)东西.
‡
量过的 和 输出 打开
§
量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 当 ras
= v
IL
¶
量过的 和 一个 最大 的 一个 地址 改变 当 cas
= v
IH
#
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