2sb955(k)
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
–120 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
–120 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
–7 V
集电级 电流 I
C
–10 一个
集电级 顶峰 电流 I
c(顶峰)
–15 一个
c 至 e 二极管 向前 电流 I
D
*
1
10 一个
集电级 电源 消耗 P
C
*
2
50 W
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
注释: 1. 值 在 t
C
= 25°c
2. PW
≤
1 ms 1 shot
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
–120 — — V I
C
= –25 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
–7 — — V I
E
= –200 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — –100 µA V
CB
= –120 v, i
E
= 0
I
CEO
— — –10 µA V
CE
= –100 v, r
是
=
∞
直流 电流 转移 比率 h
FE
1000 — 20000 V
CE
= –3 v, i
C
= –5 a*
1
集电级 至 发射级 饱和 V
ce(sat)1
— — –1.5 V I
C
= –5 一个, i
B
= –10 ma*
1
电压 V
ce(sat)2
— — –3.0 V I
C
= –10 一个, i
B
= –0.1 a*
1
根基 至 发射级 饱和 V
是(sat)1
— — –2.0 V I
C
= –5 一个, i
B
= –10 ma*
1
电压 V
是(sat)2
— — –3.5 V I
C
= –10 一个, i
B
= –0.1 a*
1
c 至 e 二极管 向前 电压 V
D
— — 3.0 V I
D
= 10 a*
1
转变 在 时间 t
在
— 0.8 — µs V
CC
= –30 v
转变 止 时间 t
止
— 4.0 — µs I
C
= –5 一个, i
B1
= –i
B2
= –10 毫安
便条: 1. 脉冲波 测试