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资料编号:1077089
 
资料名称:2SC2735
 
文件大小: 51139K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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2SC2735
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
30 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
20 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
3 V
集电级 电流 I
C
50 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
150 mW
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
30 V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
20 V I
C
= 1 毫安, r
=
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
3 V I
E
= 10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
0.5 µA V
CB
= 10 v, i
C
= 0
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
1.0 V I
C
= 20 毫安, i
B
= 4 毫安
直流 电流 转移 比率 h
FE
40 V
CE
= 10 v, i
C
= 10 毫安
集电级 输出 电容 Cob 0.85 1.5 pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0, f = 1 mhz
增益 带宽 产品 f
T
600 1200 MHz V
CE
= 10 v, i
C
= 10 毫安
oscillating 输出 电压 V
OSC1
210 mV V
CC
= 12 v, i
C
= 7 毫安,
f
OSC
= 300 mhz
V
OSC2
130 mV V
CC
= 12 v, i
C
= 7 毫安,
f
OSC
= 930 mhz
转换 增益 CG 21 dB V
CC
= 12 v, i
C
= 2 毫安,
f = 200 mhz,
f
OSC
= 230 mhz (0dbm)
噪音 图示 NF 6.5 dB V
CC
= 12 v, i
C
= 2 毫安,
f = 200 mhz,
f
OSC
= 230 mhz (0dbm)
便条: 标记 是 “jc”.
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