2SC4050
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
120 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
120 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
5 V
集电级 电流 I
C
100 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
150 mW
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
120 — — V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
120 — — V I
C
= 1 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
5 — — V I
E
= 10 µa, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 0.1 µA V
CB
= 70 v, i
E
= 0
发射级 截止 电流 I
EBO
— — 0.1 µA V
EB
= 2 v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
*
1
250 — 800 V
CE
= 12 v, i
C
= 2 ma*
2
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
— — 0.1 V I
C
= 10 毫安, i
B
= 1 ma*
2
根基 至 发射级 饱和
电压
V
是(sat)
— — 1.1 V I
C
= 10 毫安, i
B
= 1 ma*
2
注释: 1. 这 2sc4050 是 grouped 用 h
FE
作 跟随.
2. pluse 测试
等级 D E
Mark KID KIE
h
FE
250 至 500 400 至 800