2SC5390
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
110 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
110 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
3 V
集电级 电流 I
C
200 毫安
集电级 顶峰 电流 i
c(顶峰)
400 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
1.4 W
集电级 电源 消耗 P
C
*
1
7 W
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
便条: 1. 值 在 tc = 25°c
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
110 — — V I
C
= 10É 一个, i
E
=
0
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
110 — — V I
C
= 1ma, r
是
=
∞
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 10
µ
一个 V
CB
= 100v, i
E
= 0
发射级 截止 电流 I
EBO
— — 10
µ
一个 V
e b
= 3v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
30 — 100 V
CE
= 10 v, i
C
= 10ma
根基 至 发射级 电压 V
是
— — 1 V V
CE
= 10 v, i
C
= 10ma
集电级 至 发射级 饱和
电压
V
ce(sat)
— — 1 V I
C
= 200ma, i
B
= 20ma
增益 带宽 产品 f
T
1.0 1.4 — GHz V
CE
= 10 v, i
C
= 50ma
集电级 输出 电容 C
ob
— 2.4 3.5 pF V
CB
= 30v, i
E
= 0
f = 1mhz
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