2SC4994
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绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
15 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
8 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
1.5 V
集电级 电流 I
C
20 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
100 mW
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 10 µA V
CB
= 15 v, i
E
= 0
I
CEO
— — 1 毫安 V
CE
= 8 v, r
是
=
∞
发射级 截止 电流 I
EBO
— — 10 µA V
EB
= 1.5 v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
50 120 250 V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
集电级 输出 电容 Cob — 0.4 0.75 pF V
CB
= 5 v, i
E
= 0, f = 1 mhz
增益 带宽 产品 f
T
7.5 10.5 — GHz V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
电源 增益 PG 14.0 17.0 — dB V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安,
f = 900 mhz
噪音 图示 NF — 1.2 2.5 dB V
CE
= 5 v, i
C
= 5 毫安,
f = 900 mhz
便条: 标记 是 “ys–”.
注意: 这个 设备 是 非常 敏感的 至 electro 静态的 释放.
它 是 推荐 至 adopt 适合的 cautions 当 处理 这个 晶体管.