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资料编号:1077413
 
资料名称:2sd2256
 
文件大小: 35147K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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2SD2256
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
120 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
120 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
7 V
集电级 电流 I
C
25 一个
集电级 顶峰 电流 I
c(顶峰)
35 一个
集电级 电源 消耗 P
C
*
1
120 W
接合面 温度 Tj 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
c 至 e 二极管 向前 电流 I
D
*
1
25 一个
便条: 1. 值 在 t
C
= 25°c.
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
120 V I
C
= 0.1 毫安, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
120 V I
C
= 25 毫安, r
=
集电级 至 发射级 支持
电压
V
ceo(sus)
120 V I
C
= 200 毫安, r
=
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
7 V I
E
= 50 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
10 µA V
CB
= 100 v, i
E
= 0
I
CEO
10 µA V
CE
= 100 v, r
=
直流 电流 转移 比率 h
FE1
2000 20000 V
CE
= 4 v, i
C
= 12 a*
1
h
FE2
500 V
CE
= 4 v, i
C
= 25 a*
1
集电级 至 发射级 饱和 V
ce(sat)1
2.0 V I
C
= 12 一个, i
B
= 24 ma*
1
电压 V
ce(sat)2
3.5 V I
C
= 25 一个, i
B
= 250 ma*
1
根基 至 发射级 饱和 V
是(sat)1
3.0 V I
C
= 12 一个, i
B
= 24 ma*
1
电压 V
是(sat)2
4.5 V I
C
= 25 一个, i
B
= 250 ma*
1
便条: 1. 脉冲波 测试.
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