2sd669, 2sd669a
3
电的 特性
(ta = 25°c)
2SD669 2SD669A
Item 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基
损坏 电压
V
(br)cbo
180 — — 180 — — V I
C
= 1 毫安, i
E
= 0
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
120 — — 160 — — V I
C
= 10 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基
损坏 电压
V
(br)ebo
5 — — 5 — — V I
E
= 1 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 10 — — 10 µA V
CB
= 160 v, i
E
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE1
*
1
60 — 320 60 — 200 V
CE
= 5 v, i
C
= 150 ma*
2
h
FE2
30 — — 30 — — V
CE
= 5 v, i
C
= 500 ma*
2
集电级 至 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
— — 1 — — 1 V I
C
= 500 毫安,
I
B
= 50 ma*
2
根基 至 发射级 电压 V
是
— — 1.5 — — 1.5 V V
CE
= 5 v, i
C
= 150 ma*
2
增益 带宽 产品 f
T
— 140 — — 140 — MHz V
CE
= 5 v, i
C
= 150 ma*
2
集电级 输出
电容
Cob — 14 — — 14 — pF V
CB
= 10 v, i
E
= 0,
f = 1 mhz
注释: 1. 这 2sd669 和 2sd669a 是 grouped 用 h
FE1
作 跟随.
2. 脉冲波 测试.
B C D
2SD669 60 至 120 100 至 200 160 至 320
2SD669A 60 至 120 100 至 200 —