2sd755, 2sd756, 2sd756a
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 2SD755 2SD756 2SD756A 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
100 120 140 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
100 120 140 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
5 5 5 V
集电级 电流 I
C
50 50 50 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
750 750 750 mW
接合面 温度 Tj 150 150 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 –55 至 +150 –55 至 +150 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
2SD755 2SD756 2SD756A
Item 标识 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
100 — — 120 — — 140 — — V I
C
= 1 毫安,
R
是
=
∞
集电级 至 根基
损坏 电压
V
(br)cbo
100 — — 120 — — 140 — — V I
C
= 10 µa, i
E
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — 0.5 — — 0.5 — — 0.5 µA V
CB
= 100 v, i
E
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE1
*
1
250 — 1200 250 — 800 250 — 500 V
CE
= 12 v,
I
C
= 2 毫安
h
FE2
125 — — 125 — — 125 — — V
CE
= 12 v,
I
C
= 10 毫安
根基 至 发射级 电压 V
是
— — 0.75 — 0.75 — — 0.75 V V
CE
= 12 v,
I
C
= 2 毫安
集电级 至 发射级
饱和 电压
V
ce(sat)
— — 0.2 — — 0.2 — — 0.2 V I
C
= 10 毫安,
I
B
= 1 毫安
增益 带宽 产品 f
T
— 350 — — 350 — — 350 — MHz V
CE
= 12 v,
I
C
= 5 毫安
集电级 输出
电容
Cob — 1.6 — — 1.6 — — 1.6 — pF V
CB
= 25 v, i
E
= 0,
f = 1 mhz
便条: 1. 这 2sd755, 2sd756 和 2sd756a 是 grouped 用 h
FE1
作 跟随.
D E F
2SD755 250 至 500 400 至 800 600 至 1200
2SD756 250 至 500 400 至 800 —
2SD756A 250 至 500 — —
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