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资料编号:1077440
 
资料名称:2sj218
 
文件大小: 30557K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SJ218
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
–60 V I
D
= –10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±20 V I
G
= ±100 µa, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
±10 µA V
GS
= ±16 v, v
DS
= 0
零 门 电压 流 电流 I
DSS
–250 µA V
DS
= –50 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–1.0 –2.0 V I
D
= –1 毫安, v
DS
= –10 v
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)
0.033 0.042
I
D
= –20 一个, v
GS
= –10 v*
1
阻抗 0.045 0.06 I
D
= –20 一个, v
GS
= –4 v*
1
向前 转移 admittance |y
fs
| 16 25 S I
D
= –20 一个, v
DS
= –10 v*
1
输入 电容 Ciss 3800 pF V
DS
= –10 v, v
GS
= 0,
输出 电容 Coss 2000 pF f = 1 mhz
反转 转移 电容 Crss 490 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
30 ns I
D
= –20 一个, v
GS
= –10 v,
上升 时间 t
r
235 ns R
L
= 1.5
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
670 ns
下降 时间 t
f
450 ns
身体 至 流 二极管 向前
电压
V
DF
–1.35 V I
F
= –45 一个, v
GS
= 0
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
300 ns I
F
= –45 一个, v
GS
= 0,
di
F
/dt = 50 一个/µs
便条: 1. 脉冲波 测试
看 典型的 曲线 的 2sj217
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