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资料编号:1077485
 
资料名称:2sk1835
 
文件大小: 59869K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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25
20
15
10
5
0
4
8
12 16 20
门 至 源 电压 v (v)
脉冲波 测试
3 一个
2 一个
i = 1 一个
D
流 至 源 饱和 电压
v (在) (v)
DS
GS
流-源 饱和 电压 vs.
门-源 电压
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2 0.5 1 2 5 10
20
流 电流 i (一个)
D
静态的 drain–source 在 状态
阻抗 r (在) ( )
DS
v = 10 v
GS
15 v
脉冲波 测试
静态的 流-源 在 状态
阻抗 vs. 流 电流
25
20
15
10
5
0
0–40 40 80 120 160
情况 温度 t (°c)
C
静态的 drain–source 在 状态
阻抗 r (在) ( )
DS
脉冲波 测试
1 一个
2 一个
i = 3 一个
D
v = 15 v
GS
静态的 流-源 在 状态
阻抗 vs. 温度
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05 0.1 0.2 0.5 1 2 5
向前 转移 admittance
|y | (s)
流 电流 i (一个)
D
tc = –25°c
25°C
75°C
脉冲波 测试
v = 20 v
DS
fs
向前 转移 admittance vs. 流
电流
2SK1835
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