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资料编号:1077506
 
资料名称:2sk217
 
文件大小: 39573K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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2SK217
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
门 至 流 电流 V
GDO
–30 V
流 电流 I
D
20 毫安
门 电流 I
G
10 毫安
频道 电源 消耗 Pch 150 mW
频道 温度 Tch 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
门 至 流 损坏
电压
V
(br)gdo
–30 V I
G
= –100 µa
门 截止 电流 I
GSS
–10 nA V
GS
= –0.5 v, v
DS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–2.5 V V
DS
= 5 v, i
D
= 10 µa
流 电流 I
DSS
*
1
2.5 12 毫安 V
DS
= 5 v, v
GS
= 0
向前 转移 admittance |y
fs
| 8.0 mS V
DS
= 5 v, v
GS
= 0, f = 1 khz
反转 转移 电容 Crss 0.1 pF V
DS
= 5 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz
便条: 1. 这 2sk217 是 grouped 用 i
DSS
作 跟随.
等级 C D E
Mark ZC ZD ZE
I
DSS
2.5 至 5 4 至 8 6 至 12
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