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资料编号:1077543
 
资料名称:2sk2796
 
文件大小: 35073K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Triple Diffused
 
 


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2sk2796l, 2sk2796s
电的 特性
(ta = 25
°
c)
Item 标识 最小值 Typ 毫安x 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
v(br)dss 60 V id = 10ma, vgs = 0
门 至 源 损坏
电压
v(br)gss
±
20 V ig =
±
100
µ
一个, vds = 0
零 门 voltege 流
电流
IDSS 10
µ
一个 vds = 60 v, vgs = 0
门 至 源 leak 电流 IGSS
±
10
µ
一个 vgs =
±
16v, vds = 0
门 至 源 截止 电压 vgs(止) 1.0 2.0 V id =1ma, vds = 10v
静态的 流 至 源 在
状态 阻抗
rds(在) 0.12 0.16
id = 3 一个, vgs = 10v
Note4
静态的 流 至 源 在
状态 阻抗
rds(在) 0.16 0.25
id = 3a, vgs = 4v
Note4
向前 转移 admittance |yfs| 2.5 4.0 S id = 3a, vds = 10v
Note4
输入 电容 Ciss 180 pF vds = 10v
输出 电容 Coss 90 pF vgs = 0
反转 转移 电容 Crss 30 pF f =1MHz
转变-在 延迟 时间 td(在) 9 ns vgs = 10v, id = 3a
上升 时间 tr 25 ns rl = 12
转变-止 延迟 时间 td(止) 35 ns
下降 时间 t f 55 ns
body–drain 二极管 向前
电压
VDF 1.0 V id = 5a, vgs = 0
body–drain 二极管 反转
恢复 时间
trr 40 ns 如果 = 5a, vgs = 0
dif/ dt =50a/
µ
s
便条: 4. 脉冲波 测试
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