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资料编号:1077642
 
资料名称:HB56H232 Series, HB56H132 Series
 
文件大小: 356860K
   
说明
 
介绍:
2,097,152-word ′ 32-bit High Density Dynamic RAM Module
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
hb56h232 序列, hb56h132 序列
8
直流 特性
(ta = 0 至 70
°
c, v
CC
= 5 v
±
5%, v
SS
= 0 v) (hb56h232)
50 ns 60 ns 70 ns
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 测试 情况 注释
运行 电流 I
CC1
410 350 310 毫安 t
RC
= 最小值 1, 2
备用物品 电流 I
CC2
8 8 8 毫安 ttl 接口,
RAS
,
CAS
= v
IH
,
dout = 高-z
4 4 4 毫安 cmos 接口,
RAS
,
CAS
V
CC
– 0.2 v,
dout = 高-z
备用物品 电流 (l-版本) I
CC2
0.6 0.6 0.6 毫安 cmos 接口,
RAS
,
CAS
V
CC
– 0.2 v,
dout = 高-z
RAS
-仅有的 refresh 电流 I
CC3
410 350 310 毫安 t
RC
= 最小值 2
备用物品 电流 I
CC5
—20—20—20mA
RAS
= v
IH
,
CAS
= v
IL
,
dout = 使能
1
CAS
-在之前-
RAS
refresh
电流
I
CC6
390 350 310 毫安 t
RC
= 最小值
edo 页 模式 电流 I
CC7
380 340 300 毫安 t
HPC
= 最小值 1, 3
电池 backup 电流
(备用物品 和 cbr refresh)
(l-版本)
I
CC10
2 2 2 毫安 cmos 接口,
dout = 高-z,
cbr refresh:
t
RC
= 125
µ
s,
t
RAS
0.3
µ
s
4
输入 泄漏 电流 I
LI
–10 10 –10 10 –10 10
µ
一个 0 v
Vin
5.5 v
输出 泄漏 电流 I
LO
–10 10 –10 10 –10 10
µ
一个 0 v
Vout
5.5 v,
dout = 使不能运转
输出 高 电压 V
OH
2.4 V
CC
2.4 V
CC
2.4 V
CC
V 高 iout = –2 毫安
输出 低 电压 V
OL
0 0.4 0 0.4 0 0.4 V 低 iout = 2 毫安
注释: 1. I
CC
取决于 在 输出 加载 情况 当 这 设备 是 选择, i
CC
最大值 是 指定 在 这
输出 打开 情况.
2. 地址 能 是 changed once 或者 较少 当
RAS
= v
IL
.
3. 地址 能 是 changed once 或者 较少 当
CAS
= v
IH
.
4. V
IH
V
CC
– 0.2 v, 0 v
V
IL
0.2 v.
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