hm538253b/hm538254b 序列
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一样 作 这 读 和 写 循环, 所以 读, early 写, 和 delayed 写 循环 能 是 executed. 在 这个
循环, 这 hm538253b/ hm538254b refreshes 这 行 地址 fetched 在 这 下落 边缘 的
RAS
.
掩饰 寄存器 设置/读 循环
(
CAS
高,
DT
/
OE
高,
我们
高, 和 dsf1 低 在 这 下落 边缘 的
r 作
:
mnemonic 代号; lmr) 在 这个 循环, 掩饰 数据 是 设置 至 这 内部的 掩饰 寄存器 persistently 使用 在 掩饰
写 循环, 块 写 循环, flash 写 循环, masked 写 转移, 和 masked 分割 写 transfer. 8 位
的 内部的 掩饰 寄存器 是 提供 在 各自 i/o. 这个 掩饰 寄存器 是 composed 的 静态的 电路. 所以 once 它
是 重置 用 cbrr 循环, 它 retains 这 数据 直到 重置 或者 reselect. once lmr 是 设置, 掩饰 写 循环 数据 是
写 用 persistent 掩饰 数据. 自从 掩饰 寄存器 设置 循环 是 just 这 一样 作 这 读 和 写
循环, 所以 读, early 写, 和 delayed 写 循环 能 是 executed.
flash 写 循环
(
CAS
高,
DT
/
OE
高,
我们
低, 和 dsf1 高 在 这 下落 边缘 的
RAS
:
mnemonic; fw) 在 一个 flash 写 循环, 一个 行 的 数据 (512 文字
×
8 位) 是 cleared 至 0 或者 1 在 各自 i/o
符合 至 这 数据 在 这 颜色 寄存器 提到 在之前. 它 是 也 需要 至 掩饰 i/o 在 这个 循环.
当
CAS
和
DT
/
OE
是 设置 高,
我们
是 低, 和 dsf1 是 高 在 这 下落 边缘 的
RAS
, 这个 循环 开始.
然后, 这 行 地址 至 clear 是 给 至 行 地址. 掩饰 数据 是 这 一样 作 那 的 一个 内存 写 循环.
循环 时间 是 这 一样 作 那些 的 内存 读/写 循环, 所以 所有 位 能 是 cleared 在 1/512 的 这
循环 时间. (看 图示 1.)
块 写 循环
(
CAS
高,
DT
/
OE
高 和 dsf1 低 在 这 下落 边缘 的
RAS
, dsf1 高 和
我们
低 在 这 下落 边缘 的
CAS
: mnemonic; bw) 在 一个 块 写 循环, 4 columns 的 数据 (4 column
×
8 位)
是 cleared 至 0 或者 1 在 各自 i/o 符合 至 这 数据 的 颜色 寄存器. column 地址 a0 和 a1 是
disregarded. 这 掩饰 数据 在 i/os 和 这 掩饰 数据 在 column 地址 能 是 决定 independently.
i/o 水平的 在 这 下落 边缘 的
CAS
确定 这 地址 至 是 cleared. (看 图示 2.) 这 块 写 循环
是 作 这 一样 作 这 写 循环, 所以 early 和 delayed 写, 读-modify-写, 和 页 模式 写
循环 能 是 executed.
非 掩饰 模式 块 写 循环
(
我们
高 在 这 下落 边缘 的
RAS
): 这 数据 在 8 i/os 是 所有 cleared
当
我们
是 高 在 这 下落 边缘 的
RAS
.
掩饰 块 写 循环
(
我们
低 在 这 下落 边缘 的
RAS
):当
我们
是 低 在 这 下落 边缘 的
RAS
,
这 hm538253b/hm538254b 开始 掩饰 块 写 循环 至 clear 这 数据 在 一个 optional i/o. 这 掩饰
数据 是 这 一样 作 那 的 一个 内存 写 循环. 高 i/o 是 cleared, 低 i/o 是 不 cleared 和 这 内部的 数据
是 retained. 在 新 掩饰 模式, 这 掩饰 数据 是 有 在 这
RAS
循环. 在 persistent 掩饰 模式, i/o
don’t 小心 关于 掩饰 模式.
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