2SC5863
2
SJC00290AED
P
C
T
一个
I
C
V
CE
I
C
V
是
V
ce(sat)
I
C
h
FE
I
C
C
ob
V
CB
0 1606020 80 120 14040 100
0
250
200
150
100
50
集电级 电源 消耗 p
C
(mw)
包围的 温度 t
一个
(
°
c)
0 1.40.4 0.60.2 1.20.8 1.0
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=
10 v
T
一个
=
85
°
C
−
25
°
C
25
°
C
根基-发射级 电压 v
是
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
0.01
0.1
10
1
101 100 1
000
I
C
/ i
B
=
10
0.1
T
一个
=
85
°
C
25
°
C
−
25
°
C
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
1 10 100
0
200
160
120
80
40
V
CE
=
10 v
T
一个
=
85
°
C
25
°
C
−
25
°
C
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(毫安)
0 10203040
1
100
10
f
=
1 mhz
T
一个
=
25
°
C
集电级-根基 电压 v
CB
(v)
集电级 输出 电容
(一般 根基, 输入 打开 短路)
C
ob
(pf)
0
012210486
80
70
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
60
50
40
30
20
0.3 毫安
0.4 毫安
0.2 毫安
0.1 毫安
0.5 毫安
0.6 毫安
0.7 毫安
0.8 毫安
0.9 毫安
I
B
=
1.0 毫安
10
T
一个
=
25
°
C