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最小 和 最大 输出 水平 为 这 worst 情况
回馈 时间.
输入 电容 选择
使用 一个 混合 的 输入 绕过 电容 至 控制 这 电压
越过 横过 这 mosfets. 使用 小 陶瓷的
电容 为 高 频率 解耦 和 大(量)
电容 至 供应 这 电流 需要 各自 时间 Q
1
转变
在. 放置 这 小 陶瓷的 电容 physically 关闭 至
这 MOSFETs 和 在 这 流 的 Q
1
和 这 源
的 Q
2
.
这 重要的 参数 为 这 大(量) 输入 电容 是 这
电压 比率 和 这 RMS 电流 比率. 为 可依靠的
运作, 选择 这 大(量) 电容 和 电压 和 电流
比率 在之上 这 最大 输入 电压 和 largest RMS
电流 必需的 用 这 电路. 这 电容 电压 比率
应当 是 在 least 1.25 时间 更好 比 这 最大
输入 电压 和 一个 电压 比率 的 1.5 时间 是 一个
conservative 指导原则. 这 RMS 电流 比率 必要条件
为 这 输入 电容 的 一个 buck 调整器 是 大概
1/2 这 直流 加载 电流.
为 一个 通过 孔 设计, 一些 electrolytic 电容
将 是 需要. 为 表面 挂载 设计, 固体的 tantalum
电容 能 是 使用, 但是 提醒 必须 是 exercised 和
关于 至 这 电容 surge 电流 比率. 这些
电容 必须 是 有能力 的 处理 这 surge-电流 在
电源-向上. 一些 电容 序列 有 从 reputable
manufacturers 是 surge 电流 测试.
场效应晶体管 选择/仔细考虑
这 ISL6520 需要 二 n-频道 电源 mosfets.
这些 应当 是 选择 为基础 在之上 r
ds(在)
,门
供应 (所需的)东西, 和 热的 管理
(所需的)东西.
在 高-电流 产品, 这 场效应晶体管 电源
消耗, 包装 选择 和 散热器 是 这
首要的 设计 factors. 这 电源 消耗 包含
二 丧失 组件; 传导 丧失 和 切换 丧失.
这 传导 losses 是 这 largest 组件 的 电源
消耗 为 两个都 这 upper 和 这 更小的 mosfets.
这些 losses 是 distributed 在 这 二 MOSFETs
符合 至 职责 因素 (看 这 equations 在下). 仅有的
这 upper 场效应晶体管 有 切换 losses, 自从 这 更小的
MOSFETs 身体 二极管 或者 一个 外部 肖特基 整流器
横过 这 更小的 场效应晶体管 clamps 这 切换 node
在之前 这 同步的 整流器 转变 在. 这些 equations
假设 直线的 电压-电流 transitions 和 做 不
adequately 模型 电源 丧失 预定的 这 反转-恢复 的
这 更小的 MOSFET’s 身体 二极管. 这 门-承担 losses
是 dissipated 用 这 ISL6520 和 don't 热温 这
mosfets. 不管怎样, 大 门-承担 增加 这
切换 间隔, t
SW
这个 增加 这 upper 场效应晶体管
切换 losses. 确保 那 两个都 MOSFETs 是 在里面
它们的 最大 接合面 温度 在 高 包围的
温度 用 calculating 这 温度 上升 符合
至 包装 热的-阻抗 规格. 一个 独立的
散热器 将 是 需要 取决于 在之上 场效应晶体管
电源, 包装 类型, 包围的 温度 和 空气 流动.
给 这 减少 有 门 偏差 电压 (5v),
逻辑-水平的 或者 sub-逻辑-水平的 晶体管 应当 是 使用 为
两个都 n-mosfets. 提醒 应当 是 exercised 和
设备 exhibiting 非常 低 V
gs(在)
特性. 这
shoot-通过 保护 呈现 aboard 这 ISL6520 将
是 circumvented 用 这些 MOSFETs 如果 它们 有 大
parasitic impedences 和/或者 capacitances 那 将
inhibit 这 门 的 这 场效应晶体管 从 正在 释放
在下 它的 门槛 水平的 在之前 这 complementary
场效应晶体管 是 转变 在.
图示 7 显示 这 upper 门 驱动 (激励 管脚) 有提供的
用 一个 自举 电路 从 V
CC
. 这 激励 电容,
C
激励
, develops 一个 floating 供应 电压 关联 至
这 阶段 管脚. 这 供应 是 refreshed 至 一个 电压 的 V
CC
较少 这 激励 二极管 漏出 (v
D
) 各自 时间 这 更小的
场效应晶体管, Q
2
, 转变 在.
P
UPPER
=Io
2
xr
ds(在)
xD+
1
2
Io x V
在
xt
SW
xF
S
P
更小的
=Io
2
xr
ds(在)
x(1-d)
在哪里: D 是 这 职责 循环 = V
输出
/v
在
,
t
SW
是 这 切换 间隔, 和
F
S
是 这 切换 频率.
+5V
ISL6520
地
LGATE
UGATE
阶段
激励
VCC
+5V
便条:
便条:
V
g-s
≈
V
CC
C
激励
D
激励
Q1
Q2
+
-
图示 7. UPPER 门 驱动 自举
V
g-s
≈
V
CC
-v
D
+V
D
-
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