飞利浦 半导体
PHM12NQ20T
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
初步的 数据 rev. 01 — 30 january 2003 6 的 12
9397 750 10876
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有 权利 保留.
T
j
=25
°
CT
j
=25
°
C 和 150
°
c; v
DS
>
I
D
×
R
DSon
图 5. 输出 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 流-源 电压; 典型 值.
图 6. 转移 特性: 流 电流 作 一个
函数 的 门-源 电压; 典型 值.
T
j
=25
°
C
图 7. 流-源 在-状态 阻抗 作 一个 函数
的 流 电流; 典型 值.
图 8. normalized 流-源 在-状态 阻抗
因素 作 一个 函数 的 接合面 温度.
003aaa236
0
1
2
3
4
00.5
1
1.5
2
V
DS
(v)
(一个)
3.8 v
10 v
4 v
4.5 v
I
D
V
GS
= 3.6 v
003aaa237
0
2
4
6
8
012345
(一个)
I
D
V
GS
(v)
T
j
= 150
°
C
25
°
C
003aaa238
0
100
200
300
400
02468
3.8 v
(m
Ω
)
R
DSon
I
D
(一个)
V
GS
= 4 v
4.5 v
5 v
10 v
03al52
0
1
2
3
-60 0 60 120 180
T
j
(
°
c)
一个
一个
R
DSon
R
DSon 25 C
°
()
-----------------------------
=
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