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资料编号:1082615
 
资料名称:PHM12NQ20T
 
文件大小: 241940K
   
说明
 
介绍:
TrenchMOS TM standard level FET
 
 


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飞利浦 半导体
PHM12NQ20T
trenchmos™ 标准 水平的 场效应晶体管
初步的 数据 rev. 01 — 30 january 2003 9 的 12
9397 750 10876
© koninklijke 飞利浦 electronics n.v. 2003. 所有 权利 保留.
6. 包装 外形
图 14. sot685-1 (qlpak).
1.271
一个
1
E
h
b
单位
ye
0.2
c
REFERENCES
外形
版本
EUROPEAN
PROJECTION
公布 日期
IEC 电子元件工业联合会 JEITA
mm
5.15
4.85
D
h
4.15
3.85
y
1
6.15
5.85
3.95
3.65
e
1
3.81
0.48
0.35
0.05
0.00
0.05 0.1
维度 (mm 是 这 原来的 维度)
sot685-1
- - -
0.75
0.50
L
0.1
v
0.05
w
0 2.5 5 mm
规模
sot685-1
hvson8: 塑料 热的 增强 非常 薄的 小 外形 包装; 非 leads;
8 terminals; 身体 6 x 5 x 0.85 mm
一个
(1)
最大值
一个
一个
1
c
detail x
y
y
1
C
e
L
E
h
e
h
D
h
exposed 系 柱状 (4
×
)
e
1
b
14
8
5
X
D
E
C
B
一个
终端 1
index 范围
终端 1
index 范围
02-05-24
02-08-12
交流
C
B
v
M
w
M
e
h
0.2
E
(1)
D
(1)
便条
1. 塑料 或者 metal 突出物 的 0.075 mm 最大 每 一侧 是 不 包含.
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