1999 十一月 30 2
飞利浦 半导体 产品 规格
8-输入 与非 门 74ahc30; 74ahct30
特性
•
静电释放 保护:
HBM eia/jesd22-a114-一个 超过 2000 V
MM eia/jesd22-a115-一个 超过 200 V
CDM eia/jesd22-c101 超过 1000 V
•
保持平衡 传播 延迟
•
输入 接受 电压 高等级的 比 v
CC
•
为 ahc 仅有的: 运作 和 cmos 输入 水平
•
为 ahct 仅有的: 运作 和 ttl 输入 水平
•
输出 能力: 标准
•
I
CC
类别: ssi
•
指定 从
−
40 至 +85
°
c 和
−
40 至 +125
°
c.
描述
这 74ahc/ahct30 是 高-速 si-门 cmos
设备 和 是 管脚 兼容 和 低 电源 肖特基
ttl (lsttl). 它们 是 指定 在 遵从 和
电子元件工业联合会 标准 非. 7a.
这 74ahc/ahct30 提供 这 8-输入 与非 函数.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
≤
3.0 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
+
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
∑
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 输出;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特.
2. 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
标识 参数 情况
典型
单位
AHC AHCT
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟
一个, b, c, d, e, f, g, H 至 Y
C
L
= 15 pf; v
CC
= 5 V 3.6 3.3 ns
C
I
输入 电容 3.0 3.0 pF
C
O
输出 电容 4.0 4.0 pF
C
PD
电源 消耗 电容 C
L
= 50 pf; f = 1 mhz;
注释 1 和 2
10 12 pF
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