2002 二月 04 4
飞利浦 半导体 产品 规格
npn 一般 目的 晶体管 bc846w; bc847w; bc848w
特性
T
amb
=25
°
c; 除非 否则 specified.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
=30v; i
E
=0
−−
15 nA
V
CB
=30v; i
E
=0;
T
j
= 150
°
C
−−
5
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=5v; i
C
=0
−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=10
µ
一个; v
CE
=5V
bc846aw; bc847aw
−
90
−
bc846bw; bc847bw; bc848bw
−
150
−
BC847CW
−
270
−
直流 电流 增益 I
C
= 2 毫安; v
CE
=5V
BC846W 110
−
450
bc847w; bc848w 110
−
800
bc846aw; bc847aw 110 180 220
bc846bw; bc847bw 200 290 450
BC847CW 420 520 800
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 0.5 毫安
−
90 250 mV
I
C
= 100 毫安; i
B
= 5 毫安;
便条 1
−
200 600 mV
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 10 毫安; i
B
= 0.5 毫安
−
700
−
mV
I
C
= 100 毫安; i
B
= 5 毫安;
便条 1
−
900
−
mV
V
是
根基-发射级 电压 I
C
= 2 毫安; v
CE
= 5 V 580 660 700 mV
I
C
= 10 毫安; v
CE
=5V
−−
770 mV
C
c
集电级 电容 V
CB
=10v; i
E
=I
e
=0;
f = 1 MHz
−−
3pF
f
T
转变 频率 V
CE
=5v; i
C
=10ma;
f = 100 MHz
100
−−
MHz
F 噪音 figure I
C
= 200
µ
一个; v
CE
=5v;
R
S
=2k
Ω
; f = 1 khz;
B = 200 Hz
−−
10 dB
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