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1999 Apr 27 3
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp darlington 晶体管 MPSA64
热的 特性
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 250 k/w
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 I
E
= 0; v
CB
=
−
30 V
−−
100 nA
I
EBO
发射级 截-止 电流 I
C
= 0; v
EB
=
−
10 V
−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 I
C
=
−
10 毫安; v
CE
=
−
5 v; 看 图.2 10000
−
I
C
=
−
100 毫安; v
CE
=
−
5 v; 看 图.2 20000
−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
100 毫安; i
B
=
−
0.1 毫安
−−
1.5 V
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
100 毫安; i
B
=
−
0.1 毫安
−−
1.5 V
V
BEon
根基-发射级 在-状态 电压 I
C
=
−
100 毫安; v
CE
=
−
5V
−−
2V
f
T
转变 频率 I
C
=
−
100 毫安; v
CE
=
−
5 v; f = 100 MHz 125
−
MHz
handbook, 全部 pagewidth
0
100000
20000
40000
60000
80000
h
FE
MGD836
−
1
−
10
I
C
(毫安)
−
10
2
−
10
3
图.2  直流 电流 增益; 典型 值.
V
CE
=
−
2v.

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1999 Apr 27 3 飞利浦半导体产品规格 pnp darlington 晶体管 MPSA64 热的特性便条 1. 晶体管挂载在一个 fr4 打印-电路板. 特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况值单位 R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的便条 1 250 k/w 标识参数情况最小值最大值单位 I CBO 集电级截-止电流 I E = 0; v CB = − 30 V −− 100 nA I EBO 发射级截-止电流 I C = 0; v EB = − 10 V −− 100 nA h FE 直流电流增益 I C = − 10 毫安; v CE = − 5 v; 看图.2 10000 − I C = − 100 毫安; v CE = − 5 v; 看图.2 20000 − V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = − 100 毫安; i B = − 0.1 毫安 −− 1.5 V V BEsat 根基-发射级饱和电压 I C = − 100 毫安; i B = − 0.1 毫安 −− 1.5 V V BEon 根基-发射级在-状态电压 I C = − 100 毫安; v CE = − 5V −− 2V f T 转变频率 I C = − 100 毫安; v CE = − 5 v; f = 100 MHz 125 − MHz handbook, 全部 pagewidth 0 100000 20000 40000 60000 80000 h FE MGD836 − 1 − 10 I C (毫安) − 10 2 − 10 3 图.2 直流电流增益; 典型值. V CE = − 2v.

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