2
晶体管
2sc3526(h)
P
C
— ta I
C
— v
CE
I
C
— v
是
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
ob
— v
CB
0 16040 12080 14020 10060
0
1.6
1.2
0.4
1.0
1.4
0.8
0.2
0.6
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
012108264
0
240
200
160
120
80
40
Ta=25˚C
0.5ma
1.0ma
1.5ma
2.0ma
2.5ma
3.0ma
3.5ma
4.0ma
4.5ma
I
B
=5.0ma
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
01.00.80.2 0.60.4
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=5V
Ta=75˚C
–25˚C
25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
1 10 100 10003 30 300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=5V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–1 –10 –100 –1000–3 –30 –300
0
600
500
400
300
200
100
V
CB
=10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
1 3 10 30 100
0
6
5
4
3
2
1
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)