2
晶体管
2SA1532
0 16040 12080 14020 10060
0
240
200
160
120
80
40
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
mW
)
0 –10–8–2 –6–4
0
–30
–25
–20
–15
–10
–5
Ta=25˚C
I
B
=–250
µ
一个
–200
µ
一个
–150
µ
一个
–100
µ
一个
–50
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
0
120
100
80
60
40
20
V
CE
=–10V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
0
6
5
4
3
2
1
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
–1 –3 –10 –30 –100
0
5
4
3
2
1
I
C
=–1mA
f=10.7mhz
Ta=25˚C
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
一般 发射级 反转 转移 电容 c
re
(
pF
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
600
500
400
300
200
100
V
CB
=–10V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
0
24
20
16
12
8
4
V
CE
=–10V
f=100MHz
Ta=25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
电源 增益 pg
(
dB
)
0.1 0.3 1 3 10
0
5
4
3
2
1
V
CB
=–10V
f=100MHz
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
噪音 图示 nf
(
dB
)
P
C
—Ta I
C
—V
CE
V
ce(sat)
—I
C
h
FE
—I
C
C
ob
—V
CB
C
re
—V
CE
f
T
—I
E
PG — I
C
NF — I
E
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