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资料编号:1084329
 
资料名称:2SD2133
 
文件大小: 68785K
   
说明
 
介绍:
Power Transistors
 
 


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1

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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
电源 晶体管
2
2SD2133
V
ce(sat)
I
C
V
是(sat)
I
C
h
FE
I
C
P
C
T
一个
I
C
V
CE
I
C
I
B
f
T
I
E
C
ob
V
CB
V
CER
R
0 16040 12080 14020 10060
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
没有 热温 下沉
包围的 温度 t
一个
(
˚
C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
012210486
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
B
=10mA
9mA
8mA
7mA
6mA
5mA
4mA
3mA
2mA
1mA
Ta=25
˚
C
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
012210486
V
CE
=10V
Ta=25
˚
C
根基 电流 i
B
(
毫安
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
0.001
0.003
13
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
10 30 100 300 1000
I
C
/i
B
=10
Ta=
25
˚
C
Ta=25
˚
C
Ta=75
˚
C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.01
1
0.1
1
10
100
10 100 1000
I
C
/i
B
=10
Ta=75
˚
C
Ta=
25
˚
C
Ta=25
˚
C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(
V
)
0
1
300
250
200
150
100
50
10 100 1000
V
CE
=10V
Ta=75
˚
C
Ta=25
˚
C
Ta=
25
˚
C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
1
3
10
30
100
2
20
5
50
0
40
80
120
200
160
20
60
100
180
140
V
CB
=10V
f=200MHz
T
C
=25
˚
C
发射级 电流 i
E
(
一个
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
0
1
30
25
20
15
10
5
10 100
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25
˚
C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
0.1 0.3 1 3 10 30 100
0
20
40
60
80
100
I
C
=10mA
T
C
=25
˚
C
根基 至 发射级 阻抗 r
(
k
)
集电级 至 发射级 电压 v
CER
(
V
)
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