电源 晶体管
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2SD2528
硅 npn 外延的 planar 类型
为 电源 放大器 和 高 向前 电流 转移 比率
■
特性
•
高 向前 电流 转移 比率 h
FE
•
satisfactory 线性 的 向前 电流 转移 比率 h
FE
•
全部-包装 包装 这个 能 是 安装 至 这 热温 下沉 和 一个
screw
■
绝对 最大 比率
T
C
=
25
°
C
1: 根基
2: 集电级
3: 发射级
至-220d 包装
单位: mm
■
电的 特性
T
C
=
25
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CB
= 80 v, i
E
= 0 100
µ
一个
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
= 6 v, i
C
= 0 100
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
= 25 毫安, i
B
= 0 60 V
向前 电流 转移 比率
*
h
FE
V
CE
= 4 v, i
C
= 1 一个 500 2 000
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= 4 一个, i
B
= 0.1 一个 0.3 V
转变 频率 f
T
V
CE
= 12 v, i
C
= 0.4 一个, f = 10 mhz 30 MHz
转变-在 时间 t
在
I
C
= 4 一个, i
B1
= 0.08 一个, i
B2
=
−
0.08 一个, 0.4
µ
s
存储 时间 t
stg
V
CC
= 50 v 2.0
µ
s
下降 时间 t
f
0.6
µ
s
便条)
*
: 分级 分类
分级 P Q
h
FE
800 至 2 000 500 至 1 200
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
80 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
60 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
6V
顶峰 集电级 电流 I
CP
10 一个
集电级 电流 I
C
5A
根基 电流 I
B
1A
集电级 电源
T
C
= 25
°
CP
C
40 W
消耗
T
一个
= 25
°
C 2.0
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
1.4
±0.2
1.6
±0.2
0.8
±0.1
0.55
±0.15
2.54
±0.30
5.08
±0.50
123
2.6
±0.1
2.9
±0.2
4.6
±0.2
φ
3.2
±0.1
3.0
±0.5
9.9
±0.3
15.0
±0.5
13.7
±0.2
4.2
±0.2
焊盘 插件
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