1
composite 晶体管
XP01110
(xp1110)
硅 pnp 外延的 planer 晶体管
为 切换/数字的 电路
■
特性
●
二 elements 组成公司的 在 一个 包装.
(发射级-结合 晶体管 和 建造-在 电阻)
●
减少 的 这 挂载 范围 和 组装 费用 用 一个 half.
■
基本 部分 号码 的 元素
●
unr1110(un1110)
×
2 elements
■
绝对 最大 比率
(ta=25˚c)
单位: mm
标记 标识:
AD
内部的 连接
参数 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压
V
CBO
–50 V
集电级 至 发射级 电压
V
CEO
–50 V
集电级 电流 I
C
–100 毫安
总的 电源 消耗
P
T
150 mW
接合面 温度
T
j
150 ˚C
存储 温度
T
stg
–55 至 +150 ˚C
比率
的
元素
整体的
■
电的 特性
(ta=25˚c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
I
C
= –10
µ
一个, i
E
= 0 –50 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
I
C
= –2ma, i
B
= 0 –50 V
集电级 截止 电流
I
CBO
V
CB
= –50v, i
E
= 0 – 0.1
µ
一个
I
CEO
V
CE
= –50v, i
B
= 0 – 0.5
µ
一个
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
= –6v, i
C
= 0 – 0.01 毫安
向前 电流 转移 比率 h
FE
V
CE
= –10v, i
C
= –5ma 160 460
向前 电流 转移 h
FE
比率
h
FE
(小/大)
*1
V
CE
= –10v, i
C
= –5ma 0.5 0.99
集电级 至 发射级 饱和 电压
V
ce(sat)
I
C
= –10ma, i
B
= – 0.3ma – 0.25 V
输出 电压 高 水平的 V
OH
V
CC
= –5v, v
B
= – 0.5v, r
L
= 1k
Ω
–4.9 V
输出 电压 低 水平的 V
OL
V
CC
= –5v, v
B
= –2.5v, r
L
= 1k
Ω
– 0.2 V
转变 频率 f
T
V
CB
= –10v, i
E
= 1ma, f = 200mhz 80 MHz
输入 阻抗 R
1
–30% 47 +30% k
Ω
*1
比率 在 2 elements
1 : 根基 (tr1) 4 : 集电级 (tr2)
2 : 发射级 5 : 集电级 (tr1)
3 : 根基 (tr2) eiaj : sc–88a
s–mini 类型 包装 (5–pin)
2.1
±
0.1
0.425
1.25
±
0.1
0.2
±
0.05
2.0
±
0.1
0.65
1
2
3
4
5
0.9
±
0.1
0.7
±
0.1
0.2
0 至 0.1
0.12
+0.05
– 0.02
0.2
±
0.1
0.425
0.65
15
Tr2
Tr1
2
34
便条.) 这 部分 号码 在 这 parenthesis 显示 常规的 部分 号码.
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