首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1085298
 
资料名称:2SB1361
 
文件大小: 51765K
   
说明
 
介绍:
Power Transistors
 
 


: 点此下载
  浏览型号2SB1361的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号2SB1361的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号2SB1361的Datasheet PDF文件第4页
4
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
电源 晶体管 2SB1361
P
C
—Ta I
C
—V
CE
I
C
—V
V
ce(sat)
—I
C
h
FE
—I
C
f
T
—I
C
C
ob
—V
CB
范围 的 safe 运作 (aso)
0 16040 12080 14020 10060
0
120
100
80
60
40
20
(1) t
C
=Ta
(2) 和 一个 100
×
100
×
2mm
al 热温 下沉
(3) 没有 热温 下沉
(p
C
=3w)
(1)
(2)
(3)
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
0 –12–10–8–2 –6–4
0
–12
–10
–8
–6
–4
–2
T
C
=25˚C
–200mA
–150mA
–100mA
–80mA
–60mA
–40mA
–20mA
–10mA
I
B
=–300mA
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
0–3–2–1
0
–12
–10
–8
–6
–4
–2
V
CE
=–5V
T
C
=–25˚C 100˚C
25˚C
根基 至 发射级 电压 v
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
I
C
/i
B
=10
25˚C
T
C
=100˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=–5V
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=–5V
f=1MHz
T
C
=25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
–1 –3 –10 –30 –100
10
10000
1000
100
30
300
3000
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
–1 –10 –100 –1000–3 –30 –300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
t=10ms
100ms
I
CP
I
C
非 repetitive 脉冲波
T
C
=25˚C
直流
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com