初步的 技术的数据
rev. prp 01/03
ADF4360
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4
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提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 V
readily accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有
发现. 虽然 这 adf4360 家族 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统,
永久的 损坏 将 出现 在 设备 subjected 至 高-活力 静电的
discharges. 因此, 恰当的 静电释放 预防措施 是 推荐 至 避免 效能
降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
Î
定时 特性
限制 在
T
最小值
至 t
最大值
参数 (b版本) 单位 Test 情况/comments
t
1
10 ns 最小值 数据 至 时钟 设置 向上 时间
t
2
10 ns 最小值 数据 至 时钟 支撑 时间
t
3
25 ns 最小值 时钟 高 持续时间
t
4
25 ns 最小值 时钟 低 持续时间
t
5
10 ns 最小值 时钟 至 le 设置 向上 时间
t
6
20 ns 最小值 le 脉冲波 宽度
便条
有保证的 用 设计 但是 不 生产 测试.
(av
DD
= dv
DD
= v
VCO
= +3v ± 10%; agnd = dgnd = 0 v; 1.8v 和 3v 逻辑 水平 使用; t
一个
=
T
最小值
至 t
最大值
除非 否则 指出)
图示 1. 定时 图解
绝对 最大 比率
1, 2
(
T
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
AV
DD
至 地
3
..................................
–
0.3 v 至
+3.6 v
AV
DD
至 dv
DD
.....................................
–
0.3 v 至 +0.3
V
V
P
至 地.........................................
–
0.3 v 至 +3.6 v
V
VCO
至 地......................................
–
0.3 v 至 +3.6 v
V
VCO
至 av
DD
......................................
–
0.3 v 至 +0.3 v
数字的 i/o 电压 至 地..........
–
0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
相似物 i/o 电压 至 地..........
–
0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
REF
在
, 至 地............................
–
0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
operatingtemperature 范围
工业的 (b 版本).........................
–
40
°
c 至 +85
°
C
最大 接合面 温度........................+150
°
C
CSP
θ
JA
热的 阻抗
(paddle 焊接).......................................50
°
c/w
(paddle 不 焊接).................................88
°
c/w
含铅的 温度, 焊接
vapor 阶段 (60 秒)......................................+215
°
C
infrared (15 秒)............................................+220
°
C
1. 压力 在之上 那些 列表 下面
“
绝对 最大 比率
”
将 导致
永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的 sections
的 这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况
为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
2. 这个 设备 是 一个 高-效能 rf 整体的 电路 和 一个 静电释放 比率 的 <
2kv 和 它 是 静电释放 敏感的. 恰当的 预防措施 应当 是 带去 为 处理 和
组装.
3. 地 = agnd = dgnd = 0v
晶体管 计数
tba (cmos) 和 tba (双极)
时钟
db23 (msb)
DB22
DB2
DB1
(控制 位 c2)
t
5
数据
LE
db0 (lsb)
(控制 位 c1)
t
6
t
1
t
2
t
3
t
4
LE
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