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资料编号:1086430
 
资料名称:IRF640N
 
文件大小: 159136K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
www.irf.com 6
irf640n/s/l
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
10 v
图 13b.
门 承担 测试 电路
图 13a.
基本 门 承担 波形
图 12b.
unclamped inductive 波形
图 12a.
unclamped inductive 测试 电路
t
p
V
(br)dss
I
图 12c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
R
G
I
0.01
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
20V
25 50 75 100 125 150 175
0
100
200
300
400
500
600
开始 t , 接合面 温度 ( c)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
J
°
I
D
BOTTOM
4.4a
7.6a
11A
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