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资料编号:1086447
 
资料名称:IRF7341Q
 
文件大小: 140578K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7341Q
6 www.irf.com
图 12.
典型 在-阻抗 vs.
流 电流
图 11.
典型 在-阻抗 vs.
门 电压
图 13b.
门 承担 测试 电路
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 14.0 16.0
V
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0.020
0.030
0.040
0.050
0.060
0.070
R
ds(在)
, 流-至 -源 在 阻抗 (
)
I
D
= 7.1a
0 102030405060
I
D
, 流 电流 ( 一个 )
0.020
0.040
0.060
0.080
0.100
R
ds ( 在 )
, 流-至-源 在 阻抗 (
)
vgs = 4.5v
vgs = 10v
图 13a.
基本 门 承担 波形
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
10 v
图 14.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
25 50 75 100 125 150 175
0
80
160
240
320
400
Starting tj, 接合面 温度 (C)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
°
I
D
BOTTOM
2.1a
4.3a
5.1a
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