IRF7421D1
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电源 场效应晶体管 特性
图 10.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 9.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 9.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
0
200
400
600
800
1000
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
v , drain-至-源 电压 (v)
一个
V= 0v, f =1M Hz
C=C+C, cSHORTED
C=C
C=C+C
GS
iss gsgd ds
rss gd
oss dsgd
C
是s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0 5 10 15 20 25 30
Q, total gate charge (nc)
G
V, gate-至-source voltage (v)
GS
一个
为 测试 电路
看 图示 9
V=24V
V=15V
DS
DS
i =4.1一个
D
0.1
1
10
100
0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
注释:
1. 职责 因素 d = t / t
2. 顶峰 t = P x z + t
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
t , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)
图 11.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
7421d1.p65 8/20/98, 4:07 pm5