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资料编号:1086487
 
资料名称:IRFD420
 
文件大小: 315972K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 500 V V
GS
= 0v, id = 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 0.59 v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 3.0
V
GS
= 10.0v, i
D
= 0.22a
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.0 4.0 V V
DS
= v
GS
,I
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 1.5 S V
DS
= 50v,I
D
= 1.3a
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 25 V
DS
= 500v,V
GS
= 0v
250 V
DS
= 400v,V
GS
= 0v, t
J
= 125°c
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 -100 V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担 24 I
D
= 2.1a
Q
gs
门-至-源 承担 3.3 nC V
DS
= 400v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 13 V
GS
= 10v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 8.0 V
DD
= 250v
t
r
上升 时间 8.6 I
D
= 2.1a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 33 R
G
= 18
t
f
下降 时间 16 R
D
= 120
L
D
内部的 流 电感 4.0 在 含铅的,
6mm (0.25in.)
L
S
内部的 源 电感 6.0 从 包装
和 中心 的
消逝 联系
C
iss
输入 电容 360 V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 92 pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 37 ƒ = 1.0mhz
IRFD420
注释:
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管) p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 1.6 V T
J
= 25°c, i
S
= 0.37a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 260 520 ns T
J
= 25°c, i
F
= 2.1a
Q
rr
反转 恢复承担 0.70 1.4 µC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
V
DD
= 50v, 开始 t
J
= 25°c, l = 40mh
R
G
= 25
, i
= 1.5a.
I
SD
4.4a, di/dt
90a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
150°C
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
源-流 比率 和 特性
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
5.0
0.37
一个
µA
nA
ns
nH
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