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资料编号:1086536
 
资料名称:IRFL9014
 
文件大小: 228167K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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IRFL9014
2 www.irf.com
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 0.50
V
GS
= -10v, i
D
= 1.1a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -2.0 ––– -4.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 1.3 ––– ––– S V
DS
= -25v, i
D
= 1.1a
––– ––– -100
µA
V
DS
= -60v, v
GS
= 0v
––– ––– -500 V
DS
= -48v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
Q
g
总的 门 承担 ––– ––– 12 I
D
=-6.7a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– ––– 3.8 nC V
DS
=-48v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– ––– 5.1 V
GS
= -10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 11 ––– V
DD
= -30v
t
r
上升 时间 ––– 63 –––
ns
I
D
= -6.7a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 9.6 ––– R
G
= 24
t
f
下降 时间 ––– 31 ––– r
D
= 4.0
Ω,
看 图. 10
nH
C
iss
输入 电容 ––– 270 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 170 ––– pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 31 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. ( 看 图. 11 )
I
SD
-6.7a, di/dt
≤90
一个/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
150°C
注释:
V
DD=
-25v, 开始 t
J
= 25°c, l =50 mh
R
G
= 25
, i
= -1.8a. (看 图示 12)
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– -5.5 V T
J
= 25°c, i
S
= -1.8a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 80 160 ns T
J
= 25°c, i
F
=-6.7a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 0.096 0.19 µC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
––– –––
––– ––– -14
-1.8
一个
在 含铅的, 6mm(0.25in)
从 包装 和 中心
的 消逝 联系.
L
S
内部的 源 电感
内部的 流 电感
L
D
––– 4.0 –––
––– 6.0 –––
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– -0.059 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -60 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
源-流 比率 和 特性
S
D
G
S
D
G
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