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资料编号:1086593
 
资料名称:IRFP22N50A
 
文件大小: 106051K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRFP22N50A
8 www.irf.com
world 总部:
233 kansas st., el segundo, 加利福尼亚 90245, 电话: (310) 252-7105
ir 好 britain:
hurst 绿色, oxted, surrey rh8 9bb, uk 电话: ++ 44 1883 732020
ir 加拿大:
15 lincoln court, brampton, ontario l6t3z2, 电话: (905) 453 2200
ir 德国:
saalburgstrasse 157, 61350 bad homburg 电话: ++ 49 6172 96590
ir 意大利:
通过 liguria 49, 10071 borgaro, torino 电话: ++ 39 11 451 0111
ir 日本:
k&放大;h bldg., 2f, 30-4 nishi-ikebukuro 3-chome, toshima-ku, tokyo 日本 171 tel: 81 3 3983 0086
ir southeast asia:
1 kim seng promenade, 好 world city west tower, 13-11, 新加坡 237994 电话: ++65 838 4630
ir 台湾:
16 fl. suite d. 207, 秒. 2, tun haw 南 road, taipei, 10673, 台湾 tel: 886-2-2377-9936
数据 和 规格 主题 至 改变 没有 注意. 12/99
至-247ac 部分 标记 信息
至-247ac 包装 外形
维度 是 显示 在 毫米 (英寸)
含铅的 assignments
注释:
- d -
5.30 (.209)
4.70 (.185)
2.50 (.089)
1.50 (.059)
4
3X
0.80 (.031)
0.40 (.016)
2.60 (.102)
2.20 (.087)
3.40 (.133)
3.00 (.118)
3X
0.25 (.010)
M
CA
S
4.30 (.170)
3.70 (.145)
- c-
2X
5.50 (.217)
4.50 (.177)
5.50 (.217)
0.25 (.010)
1.40 (.056)
1.00 (.039)
3.65 (.143)
3.55 (.140)
D
MMB
- 一个 -
15.90 (.626)
15.30 (.602)
- b -
12
3
20.30 (.800)
19.70 (.775)
14.80 (.583)
14.20 (.559)
2.40 (.094)
2.00 (.079)
2X
2X
5.45 (.215)
1 dimensioning &放大; tolerancing
每 ansi y14.5m, 1982.
2 controlling 维度 : inch.
3 遵从 至 电子元件工业联合会 外形
至-247-交流.
1 - 门
2 - 流
3 - 源
4 - 流
TER N 一个TIO N一个L
R E CT如果IER
LO G O
一个 SSEM B L Y
lot 代号
例子 : 这个 是 一个 irfpe30
W ith 组装
LO t c O DE 3一个1Q
部分 号码
日期 代号
(yyW W )
YY=YE一个 R
ww week
3a1q 9302
IRFPE 30
一个
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. (看 图. 11)
I
SD
22a, di/dt
190a/µs, v
DD
V
(br)dss
,
T
J
150°C
注释:
开始 t
J
= 25°c, l = 4.87mh
R
G
= 25
, i
= 22a. (看 图示 12a)
脉冲波 宽度
300µs; 职责 循环
2%.
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
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