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资料编号:1086618
 
资料名称:IRFP450N
 
文件大小: 123992K
   
说明
 
介绍:
HEXFET? Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 7.9
––– –––
SV
DS
= 50v, i
D
= 8.4a
Q
g
总的 门 承担
––– –––
77 i
D
= 14a
Q
gs
门-至-源 承担
––– –––
26 nC V
DS
= 400v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
––– –––
34 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
20
–––
V
DD
= 250v
t
r
上升 时间
–––
63
–––
I
D
= 14a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
29
–––
R
G
= 6.2
t
f
下降 时间
–––
25
–––
V
GS
= 10v,看 图. 10

C
iss
输入 电容
–––
2260
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
210
–––
V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
14
–––
pF
ƒ
= 1.0mhz, 看 图. 5
C
oss
输出 电容
–––
2410
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
输出 电容
–––
59
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 400v,
ƒ
= 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容
–––
110
–––
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 400v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
–––
170 mJ
I
AR
avalanche 电流
–––
14 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
–––
20 mJ
avalanche 特性
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
1.4 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 14a, v
GS
= 0v

t
rr
反转 恢复 时间
–––
430 650 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= 14a
Q
rr
反转 recoverycharge
–––
3.7 5.6 µC di/dt = 100a/µs
t
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
二极管 特性
14
56
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JC
接合面-至-情况
–––
0.64
R
θ
CS
情况-至-下沉, flat, greased 表面 0.24
––– °
c/w
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
40
热的 阻抗
静态的 @ t
J
= 25
°
c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 500
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.59
–––
v/
°
c 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
––– –––
0.37
V
GS
= 10v, i
D
= 8.4a

V
gs(th)
门 门槛 电压 3.0
–––
5.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– –––
25
µA
V
DS
= 500v, v
GS
= 0v
––– –––
250 V
DS
= 400v, v
GS
= 0v, t
J
= 125
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 30v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-100
nA
V
GS
= -30v
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
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